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J-GLOBAL ID：201702220736933097   整理番号：17A0444721

ゾル-ゲル法による高c軸配向,自己バイアスと低損失バリウムフェライト薄膜【Powered by NICT】

Highly c-axis oriented, self-biased and low loss barium ferrite thin films by sol-gel method

著者 (10件)： Chen Daming (State Key laboratory of Marine Resource Utilization in South China Sea, Hainan Univertisiy, Haikou 570228, China) ,  Chen Daming (College of Materials and Chemical Engineering, Hainan University, Haikou 570228, China) ,  Wang Guijuan (State Key laboratory of Marine Resource Utilization in South China Sea, Hainan Univertisiy, Haikou 570228, China) ,  Wang Guijuan (College of Materials and Chemical Engineering, Hainan University, Haikou 570228, China) ,  Chen Zhuo (State Key laboratory of Marine Resource Utilization in South China Sea, Hainan Univertisiy, Haikou 570228, China) ,  Chen Zhuo (College of Materials and Chemical Engineering, Hainan University, Haikou 570228, China) ,  Chen Yong (State Key laboratory of Marine Resource Utilization in South China Sea, Hainan Univertisiy, Haikou 570228, China) ,  Chen Yong (College of Materials and Chemical Engineering, Hainan University, Haikou 570228, China) ,  Li Yuanxun (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Liu Yingli (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 189  ページ： 229-231  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バリウムフェライト(BaM)薄膜をゾル-ゲル法によりPt/TiOx_2/SiO_2/Siウエハ上に堆積し,配向,自己バイアス特性とミリ波損失を調べた。BaMは高度にc軸配向を有することを見出している,テクスチャリングの度合は0.97と高かった。ヒステリシスループは飽和磁化(4πM_S)は4.1kGであり,残留磁化は4πM_Sの94%であり,BaMは,高い自己バイアス特性を提供することを明らかにした。添加では,強磁性共鳴(FMR)測定は,この薄膜は15.8kOeの異方性磁場および50GHzで118Oeの最小のFMR線幅が得られることを示した。これらの現象はこのBaM薄膜であるサーキュレータ,フィルタと移相器などのミリ波デバイスへの応用に適していることを意味している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 異方性磁場 ,  移相器 ,  飽和磁化 ,  EHF波 ,  残留磁化 ,  *薄膜 ,  サーキュレータ ,  *ゾル-ゲル法 ,  *ゲル ,  強磁性共鳴
準シソーラス用語： 線幅 ,  ヒステリシスループ ,  *バリウムフェライト ,  *自己バイアス ,  *c軸配向 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： バリウムフェライト ,  薄膜 ,  ゾル-ゲル法

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゾル-ゲル法 ,  c軸配向 ,  自己バイアス ,  低損失 ,  バリウムフェライト ,  薄膜