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J-GLOBAL ID：201702220795117215   整理番号：17A1217307

ギャップ状態のない弱い電極-有機接触による発現Fermi準位のピン止め:普遍的現象【Powered by NICT】

Fermi-level pinning appears upon weak electrode-organic contact without gap states: A universal phenomenon

著者 (10件)： Yang Jin-Peng (College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Jiangsu, 225009, China) ,  Shang Lin-Tai (College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Jiangsu, 225009, China) ,  Bussolotti Fabio (Institute for Molecular Science, Okazaki, 444-8585, Japan) ,  Cheng Li-Wen (College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Jiangsu, 225009, China) ,  Wang Wen-Qing (College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Jiangsu, 225009, China) ,  Zeng Xiang-Hua (College of Physical Science and Technology, Yangzhou University, Jiangsu, 225009, China) ,  Kera Satoshi (Institute for Molecular Science, Okazaki, 444-8585, Japan) ,  Li Yan-Qing (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, 215123, China) ,  Tang Jian-Xin (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, 215123, China) ,  Ueno Nobuo (Graduate School of Advanced Integration Science, Chiba University, Chiba, 263-8522, Japan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 48  ページ： 172-178  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペンタセン,N,N ジ(ナフタレン l イル) N,N’ ジフェニル ベンジジン(α NPD)とポリ(9,9 ジオクチルフルオレン alt ベンゾチアジアゾール)(F8BT)]を持つ弱く相互作用する電極-有機半導体系におけるFermi準位(E_F)ピン止め現象に関する計算および実験的研究(I)を報告し,(ii)不活性電極表面上の種々の有機材料の広く観察されたピン止め現象の一般的な理由を明らかにした。(i)では,E_F HOMOとE_F LUMO距離の電極依存性に関する計算結果は,UPSとKelvinプローブ結果と良く一致した。(ii)では,ピン止め現象はHOMO-LUMOギャップの電子状態がなくてもシステムで生じ,それによりこのは,種々のバンドギャップ材料のための普遍的Fermi準位ピニング的現象であることを示し,特異的界面状態は,接触に存在しなくてもことを理論的に見出した。最小正孔と電子注入障壁はHOMOとLUMOバンドの標準偏差,実験結果と非常に良く一致の程度により定量的に決定されるガウス分布HOMOとLUMOで得られた。さらに,著者らの結果は「零」注入障壁にアプローチするためのガイドラインを提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互作用 ,  バンドギャップ ,  有機材料 ,  *Fermi準位 ,  有機半導体 ,  表面準位 ,  HOMO ,  *ピン止め ,  正規分布 ,  電子状態 ,  正孔 ,  LUMO ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 電子注入 ,  HOMO-LUMOギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Fermi準位のピン止め ,  状態密度分布 ,  有機半導体 ,  注入障壁 ,  紫外光電子分光法

分類 (5件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： ギャップ ,  発現 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  現象