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J-GLOBAL ID：201702220930762038   整理番号：17A1645857

チオフェン,セレノフェン及びテルロフェンおよびそのヘキシル誘導体の重合体の光起電力特性に及ぼす骨格ふっ素化の効果:DFT研究【Powered by NICT】

The effects of backbone fluorination on photovoltaic properties of polymers of thiophene, selenophene and tellurophene and their hexyl derivatives: A DFT study

著者 (3件)： Dhole Samyak (Department of Chemistry, and Electronics and Instrumentation Engineering, BITS-Pilani, Goa, India) ,  Singh Rajan (Department of Electronics and Electrical Engineering, IIT-Guwahati, Guwahati, India) ,  Paily Roy (Department of Electronics and Electrical Engineering, IIT-Guwahati, Guwahati, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 505-508  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,チオフェン,セレノフェンおよびテルロフェンの重合体と理論のB3LYP/6- 31Gレベルでのそれらの分子軌道構造に及ぼす影響を研究することによってそれらのヘキシル誘導体の骨格に及ぼすふっ素化の効果を解析するために密度汎関数理論(DFT)を採用した。このようなポリマーのためのベンチマークであるP3HTと比較した場合,光起電力特性に及ぼす効果も開回路電圧Vocの変化を予測するために確立されたScharberモデルを用いて推定した。ふっ素化は全ての場合で予測されたVocを増加させるように見えたが,SeおよびTeヘテロ原子が短絡電流Jscの高い値に対して低いバンドギャップが得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  セレン ,  *重合体 ,  *フッ素化 ,  分子軌道 ,  テルル ,  ベンチマーク ,  *光起電力 ,  バンドギャップ ,  短絡電流 ,  セレン複素環化合物 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： ヘテロ原子 ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (3件)： テルロフェン ,  セレノフェン ,  チオフェン

タイトルに関連する用語 (11件)： チオフェン ,  セレノフェン ,  テルロフェン ,  ヘキシル ,  誘導体 ,  重合体 ,  光起電力 ,  骨格 ,  ふっ素化 ,  DFT ,  研究