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J-GLOBAL ID：201702220962902442   整理番号：17A0697166

薄膜Baの0.6Sr0.4TiO3/SrMoO3ヘテロ構造の成長と界面エンジニアリング【Powered by NICT】

Growth and interface engineering in thin-film Ba 0.6 Sr 0.4 TiO 3 / SrMoO 3 heterostructures

著者 (5件)： Radetinac Aldin (Institute of Materials Science, Technische, Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Ziegler Juergen (Institute of Materials Science, Technische, Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Vafaee Mehran (Institute of Materials Science, Technische, Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Alff Lambert (Institute of Materials Science, Technische, Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Komissinskiy Philipp (Institute of Materials Science, Technische, Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 134-138  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電Baの0.6Sr0.4TiO3と高導電性SrMoO3のエピタキシャルヘテロ構造を,SrTiO3(001)基板上にパルスレーザ蒸着により成長させた。SrMoO3膜の表面酸化を還元雰囲気中で成長させたBa0.6Sr0.4TiO3 δの薄いキャップ中間層を用いて抑制された。X線光電子分光法により示されるように,SrMoO3膜のMo4+原子価状態は600°Cまで酸素中での試料のアニーリングで安定であった。酸素界面工学は多層酸化物強誘電体バラクタにおける高導電性材料SrMoO3の利用を可能にする。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *界面 ,  酸素 ,  パルスレーザ蒸着 ,  可変容量ダイオード ,  X線光電子分光法 ,  導電性 ,  *バリウム ,  導体材料 ,  エピタクシー ,  酸化物 ,  X線光電子スペクトル ,  焼なまし ,  チタン酸ストロンチウム ,  強誘電体
準シソーラス用語： 中間層 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1表面 ,  A1界面 ,  A3レーザエピタクシー ,  A3Heterostrostructures ,  B1ペロブスカイト酸化物

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜 ,  Ba ,  ヘテロ構造 ,  成長 ,  界面 ,  エンジニアリング