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J-GLOBAL ID：201702220980125114   整理番号：17A1223591

絶縁体への優先的に(111)配向した結晶質GeのAu誘起低温形成

Au induced low-temperature formation of preferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator

著者 (8件)： OKAMOTO Hayato (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN) ,  OKAMOTO Hayato (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUDO Kohei (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN) ,  NOMITSU Tatsushi (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN) ,  MOCHII Ryosuke (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN) ,  MOTO Kenta (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN) ,  TAKAKURA Kenichiro (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN) ,  TSUNODA Isao (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 4S  ページ： 04EJ10.1-04EJ10.4  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 配向結晶Geを得るために,SiO₂/Si基板上のアモルファスGe膜の固相結晶化に及ぼすAu導入の効果を調べた。300°C以上の高温アニール後,Au原子はアモルファスGe層中に広範囲に拡散した。得られた結晶質Geは,Ge領域全体における結晶核形成により生じたランダムな結晶粒から成っていた。しかし,アニール温度を250°C以下に下げると,長時間アニール(20時間)してもAu原子は初期位置に局在していた。さらに,金属誘起層交換結晶化法を用いることなく,優先的に(111)配向した結晶質Geを生成できた。これらの結果は,アモルファスGe/Au界面で結晶核生成が優先的に起こり,その後核成長がGe層内に進行することを示唆する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *結晶化 ,  *金 ,  *低温生成 ,  *絶縁体 ,  核形成 ,  焼なまし ,  非晶質 ,  結晶粒 ,  界面 ,  膜
準シソーラス用語： アモルファス膜 ,  *金属誘起結晶化 ,  *低温形成 ,  *配向結晶化

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (34件)：

• M. Miyao, E. Murakami, H. Etoh, K. Nakagawa, and A. Nishida, J. Cryst Growth 111, 912 (1991).
• T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 89, 192114 (2006).
• C. H. Lee, T. Nishimura, N. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi, IEEE Trans. Electron Devices 58, 1295 (2011).
• D. Kuzum, A. J. Pethe, T. Krishnamohan, and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices 56, 648 (2009).
• R. R. King, D. C. Law, K. M. Edmondson, C. M. Fetzer, G. S. Kinsey, H. Yoon, R. A. Sherif, and N. H. Karam, Appl. Phys. Lett 90, 183516 (2007).

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁体 ,  優先 ,  配向 ,  Ge ,  Au ,  誘起 ,  低温形成