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J-GLOBAL ID：201702221000267645   整理番号：17A1636608

離散動的負荷変調を用いたGaN電力増幅器のための厚膜MIM BSTバラクタ【Powered by NICT】

Thick-film MIM BST varactors for GaN power amplifiers with discrete dynamic load modulation

著者 (7件)： Preis Sebastian (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, 12489 Berlin, Germany) ,  Kienemund Daniel (Technische Universitaet Darmstadt, Institut fuer Mikrowellentechnik und Photonik, 64283 Darmstadt, Germany) ,  Wolff Nikolai (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, 12489 Berlin, Germany) ,  Maune Holger (Technische Universitaet Darmstadt, Institut fuer Mikrowellentechnik und Photonik, 64283 Darmstadt, Germany) ,  Jakoby Rolf (Technische Universitaet Darmstadt, Institut fuer Mikrowellentechnik und Photonik, 64283 Darmstadt, Germany) ,  Heinrich Wolfgang (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, 12489 Berlin, Germany) ,  Bengtsson Olof (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, 12489 Berlin, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMS  ページ： 281-284  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低静的電流消費のために,BSTに基づくバラクタを調整可能で再構成可能な部品を実現するための完全なデバイスである。GaNH EMTのための負荷インピーダンスを調整するために使用されている完全スクリーン印刷MIM厚膜BSTバラクタを提案した。バラクタ同調電圧は高速GaN系変調器を用いた離散段階で供給される。LTEおよびWCDMA信号変調測定を,初めて,BST基負荷変調システムの機能性及び動的動作における負荷変調の電力消費を示した。離散動的負荷変調を用いて,平均27.3%のPAEが 45dB以下のACLRを持つLTE信号を測定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *厚膜 ,  スクリーン印刷 ,  *動荷重 ,  変調器 ,  電圧 ,  *窒化ガリウム ,  同調 ,  広帯域CDMA ,  *可変容量ダイオード ,  *電力増幅器 ,  インピーダンス ,  電流 ,  電力消費 ,  高速度
準シソーラス用語： *負荷変調 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 動的負荷 ,  変調 ,  GaN ,  電力増幅器 ,  厚膜 ,  MIM ,  BST ,  バラクタ