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J-GLOBAL ID：201702221050388680   整理番号：17A0499622

ゾル-ゲル法で作製したLa_0.7Pb_0.3MnO₃/LaAlO₃マンガナイト膜における電荷輸送機構

Charge transport mechanisms in sol-gel grown La_0.7Pb_0.3MnO₃/LaAlO₃ manganite films

著者 (10件)： Vaghela Eesh (Department of Physics, Saurashtra University, Rajkot - 360 005, India. [e-mail]) ,  Keshvani M. J. ,  Gadani Keval ,  Joshi Zalak ,  Boricha Hetal ,  Asokan K. ,  Venkateshwarlu D. ,  Ganesan V. ,  Shah N. A. ,  Solanki P. S.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 7  ページ： 5163-5176  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,厚さの異なるLa_0.7Pb_0.3MnO₃/LaAlO₃(LPMO/LAO)マンガナイト膜について,構造的,微構造的,輸送的,および磁気輸送特性を報告した。全ての膜に200MeVのAg⁺¹⁵の重イオン(SHI)を照射した。酢酸前駆体経路を用いることにより,ゾル-ゲル法を用いて膜を成長させた。室温でX線回折(XRD)法を用いて構造の測定を行い,表面形態については原子間力顕微鏡(AFM)を用いた。種々の印加磁場下でのすべての膜の温度依存性抵抗率は,温度T_Pにおいて金属-絶縁体転移を示した。T_Pでの金属-絶縁体転移に加えて,膜はまた,低温抵抗率上昇挙動を示した。抵抗率,T_P,および上昇挙動は,膜厚,印加磁場および照射の影響を強く受けた。低温抵抗挙動,金属および絶縁(半導体)領域の電荷輸送の性質を理解するために,様々なモデルおよびメカニズムを検証し,抵抗率曲線の各領域で,最も適したメカニズムを見出した。磁気抵抗(MR)は温度,膜厚,照射の影響を受けた。膜中の粒子および粒界からの結合,および別個の寄与の観点から,MR挙動を理解した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ゾル-ゲル法 ,  ランタン化合物 ,  鉛化合物 ,  マンガン化合物 ,  *マンガン鉱物 ,  *電気伝導 ,  イオン照射 ,  薄膜成長 ,  原子間力顕微鏡 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  外部磁場 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  磁気抵抗 ,  *薄膜
準シソーラス用語： *マンガナイト ,  印加磁場 ,  抵抗率 ,  *電荷輸送 ,  表面形態 ,  膜成長

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゾル-ゲル法 ,  作製 ,  LaAlO3 ,  マンガナイト ,  電荷輸送