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J-GLOBAL ID：201702221059739927   整理番号：17A1832942

CVD法によるNiOナノロッド,SiCナノワイヤと単層グラフェンの成長【Powered by NICT】

Growth of NiO nanorods, SiC nanowires and monolayer graphene via a CVD method

著者 (8件)： You Y. (Centre for Sustainable Materials Research and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of New South Wales, Sydney, Australia. [e-mail]) ,  Mayyas M. ,  Xu S. ,  Mansuri I. ,  Gaikwad V. ,  Munroe P. ,  Sahajwalla V. ,  Joshi R. K.
資料名： Green Chemistry  (Green Chemistry)
巻： 19  号： 23  ページ： 5599-5607  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2066A  ISSN： 1463-9262  CODEN： GRCHFJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高純度先端材料を製造するためのグリーンアプローチは常に挑戦的な仕事である。熱処理によるチャーに廃棄物を変換するための従来の方法は,実用的な応用のための無欠陥と純粋な材料中で限界を持つことができる。ここでは,選択した基板上の廃棄物から発生するガスの縮合により廃棄物を様々な形で機能性材料への無公害化学蒸着(G CVD)法を報告する。CO_2,CH_4とCO,ガスの流れをキャリアガスの制御された流れを介して制御し,温度を制御することにより,ガスは半導体材料の結晶格子を形成する基板上の反応/結合することができる。このような多目的なグリーンな方法は,持続可能であると同時に埋立廃棄物の負担を軽減を助けることができる。廃ゴムタイヤとプラスチックの熱処理に起因するガス混合物の適切な制御は,基板上に種々のタイプの機能材料成長に導くかを示した。この方法で基板上に材料の成長機構は従来のCVD法と類似していた。しかし,これらのガスを生成する廃棄物の利用はこの方法にグリーンで持続可能な特徴を付加し,再現性の高い程度は,実用性を提供する。NiOナノロッドの一度確立されると,SiCナノワイヤ,SiCナノ粒子と単層グラフェンを成長させるこの技術の汎用性を試験した。先端材料を作るのみのこの高度に再現性のあるG CVD法は,他の合成試薬を用いずに大気圧で固体炭素源として廃棄物を含んでいる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再現性 ,  機能材料 ,  化学合成 ,  混合気体 ,  *ナノワイヤ ,  タイヤ ,  *炭化ケイ素 ,  半導体材料 ,  *ナノロッド ,  熱処理 ,  廃棄物 ,  *化学蒸着 ,  環境汚染 ,  プラスチック
準シソーラス用語： 新素材 ,  *単層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： CVD法 ,  ナノロッド ,  SiC ,  ナノワイヤ ,  単層グラフェン ,  成長