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J-GLOBAL ID：201702221068360998   整理番号：17A1557700

SnシードInGaAsナノワイヤの熱力学的評価と二成分核形成のモデル化【Powered by NICT】

Thermodynamic assessment and binary nucleation modeling of Sn-seeded InGaAs nanowires

著者 (4件)： Ghasemi Masoomeh (NanoLund and Solid State Physics, Lund University, Box 118, SE-221 00 Lund, Sweden) ,  Ghasemi Masoomeh (Department of Materials Science and Engineering, KTH Royal Institute of Technology, SE-100 44 Stockholm, Sweden) ,  Selleby Malin (Department of Materials Science and Engineering, KTH Royal Institute of Technology, SE-100 44 Stockholm, Sweden) ,  Johansson Jonas (NanoLund and Solid State Physics, Lund University, Box 118, SE-221 00 Lund, Sweden)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 478  ページ： 152-158  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PHAse Diagram(CALPHAD)法の計算に基づくとしてGaはSn系の熱力学的評価を行った。システムは,ナノワイヤ材料の開発していることを包括的な熱力学データベースの一部である。特に,As GaではSnはSn液体種子によって支援されたGaAs,InAs,およびin_Ga_1Asナノワイヤの成長のモデリングに用いることができる。本研究では,As-Sn二元,As Ga Sn,AsではSnおよびGa-In-Sn三元系をCALPHAD法を用いて熱力学的に評価した。関連状態図及び特性図を示した。は全ての実験データと良く一致した。最適化記述を用いて,二成分核形成モデルを用いた錫ベースの四元液体合金からの閃亜鉛鉱相におけるin_Ga_1Asの核形成をモデル化した。液相の組成に固体核の組成を結び付けている。最終的に,著者らは種々の条件下でのInAsとGaAs対から形成する核の臨界サイズを予測した。は,このモデルがSn種で_Ga_1Asナノワイヤの将来の実験的実現を導くことができると信じている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  *スズ ,  *核形成 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *熱力学 ,  *モデリング ,  *ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  状態図 ,  *ガリウム ,  液相 ,  ヒ化インジウム
準シソーラス用語： 液体合金 ,  CALPHAD法 ,  *熱力学的評価 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1相図 ,  A1相平衡 ,  A1核形成 ,  A1ナノ構造 ,  B2半導性III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Sn ,  InGaAs ,  ナノワイヤ ,  熱力学的評価 ,  二成分 ,  核形成 ,  モデル化