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J-GLOBAL ID：201702221202361133   整理番号：17A1388118

超nドープ基板/PbSeナノ構造層界面における表面プラズモン増強SWIR吸収【Powered by NICT】

Surface plasmon enhanced SWIR absorption at the ultra n-doped substrate/PbSe nanostructure layer interface

著者 (4件)： Wittenberg Vladimir (Department of Electro-Optics Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, Beer Sheva 8410501, Israel) ,  Rosenblit Michael (The Ilse Katz Institute for Nanoscale Science and Technology, Ben-Gurion University of the Negev, Beer Sheva 8410501, Israel) ,  Sarusi Gabby (Department of Electro-Optics Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, Beer Sheva 8410501, Israel) ,  Sarusi Gabby (The Ilse Katz Institute for Nanoscale Science and Technology, Ben-Gurion University of the Negev, Beer Sheva 8410501, Israel)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 84  ページ： 43-49  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は極めて高濃度にドープした基板及びPbSeナノ構造非エピタキシャル成長吸収層の間の界面での短波長赤外(SWIR1200nm~1800nm)スペクトル範囲で達成できることをプラズモン増強吸収のシミュレーション結果を提示した。この研究でシミュレートした吸収増強はこれらの高濃度n型ドープGaAsやGaN基板との間の界面での表面プラズモンポラリトン(SPP)励起,SWIR光にほぼ半金属であるとPbSeナノ球あるいはナノコラムの作製した吸収層によるものであった。極端にドープされたGaAsやGaN基板は例,Drude-Lorentz誘電率モデルに基づいてシミュレートした。シミュレーションでは,基板と吸収層は,ブレーズド格子をformaに共同でパターン化し,中心波長1500nmのSWIRを用いた背面照明した。達成された最大電場増強は17.4であった40nmの侵入深さを持つ。このように,極めて高濃度にドープした半導体と赤外吸収層のこのようなアーキテクチャは,可視光の場合のように金属層を用いる必要なしに,SWIRスペクトル帯におけるプラズモン増強吸収効果による吸収を増加させることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  ヒ化ガリウム ,  *界面 ,  窒化ガリウム ,  エピタクシー ,  *ドーピング ,  *表面プラズモン ,  可視光 ,  パターン形成 ,  *セレン化鉛 ,  半導体 ,  シミュレーション ,  波長 ,  スペクトル
準シソーラス用語： *SWIR , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 表面プラズモン増強吸収 ,  SWIR検出器 ,  アップコンバージョン ,  SWIRにおけるプラズモン

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  PbSe ,  ナノ構造 ,  界面 ,  表面プラズモン ,  増強 ,  SWIR