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J-GLOBAL ID：201702221253701714   整理番号：17A0113603

標準CMOS技術による完全集積化J級電力増幅器【Powered by NICT】

Fully Integrated Class-J Power Amplifier in Standard CMOS Technology

著者 (3件)： Dong Yezi (School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin, P.R. China) ,  Mao Luhong (School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin, P.R. China) ,  Xie Sheng (School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin, P.R. China)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 1  ページ： 64-66  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： J級電力増幅器(PA)の統合を検討した。高調波損失を考慮した修正設計式のセットを導出し,インダクタ損失を検討した。議論に基づいて,積層型FET構造をもつ完全集積化J級PAは0.18μm CMOSプロセスで設計し,実装した。提案したJ級PA,3.3V電源によって駆動される,22dBmの飽和出力電力で,それぞれ,43.7%及び45.1%の電力付加効率(PAE)とドレイン効率(DE)を達成した。 17.4dBの最大利得とともに,広帯域PAは2.1GHzから4.8GHzの3dBバンドを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 利得 ,  広帯域 ,  *電力増幅器 ,  高調波 ,  電力付加効率 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 出力電力 ,  積層 ,  *CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 標準 ,  CMOS技術 ,  集積化 ,  電力増幅器