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J-GLOBAL ID：201702221292278887   整理番号：17A0755419

ハイブリッドAlに基づく自己出力型UV-B光検出器:MgZnO/PEDOT:PSS Schottkyダイオード【Powered by NICT】

Self-Powered UV-B Photodetector Based on Hybrid Al:MgZnO/PEDOT:PSS Schottky Diode

著者 (4件)： Zheng Qinghong (College of Materials Engineering, Fujian Agriculture and Forestry University, Fuzhou, China) ,  Huang Jin (Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou, China) ,  Han Chuxia (College of Materials Engineering, Fujian Agriculture and Forestry University, Fuzhou, China) ,  Chen Yanqin (College of Materials Engineering, Fujian Agriculture and Forestry University, Fuzhou, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 79-82  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に作製した47.5%までのMg含有量を有する広いバンドギャップのAlドープMgZnO(AMZO)薄膜。AMZO膜の伝導率は,亜鉛蒸気アニーリングにより大きく改善された。Schottky接触としてポリ(3, 4-エチレンジオキシチオフェン)ポリ(スチレンスルホナート)(PEDOT:PSS)を導入することにより作製した垂直構造フォトダイオード。フォトダイオードはUV-B光への応答特性を示し,278nmで19.1mA/Wと外部バイアスなしで二桁以上の可視除去比のピーク応答性であった。高性能は,PEDOT:PSSを用いて形成したAMZO膜と良好なSchottky接触の高い伝導率に起因した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  *光検出器 ,  焼なまし ,  *マグネシウム ,  フォトダイオード ,  *ダイオード ,  バンドギャップ ,  応答特性 ,  *アルミニウム ,  バイアス
準シソーラス用語： *PEDOT:PSS ,  Schottky接触 ,  伝導率 ,  サファイア基板 ,  *UV-B , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al ,  自己 ,  UV-B ,  光検出器 ,  PEDOT ,  PSS ,  Schottkyダイオード