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J-GLOBAL ID:201702221407587431   整理番号:17A1722663

光学的に注入された2状態量子ドットレーザの双安定性【Powered by NICT】

Bistability in optically injected two-state quantum dot lasers
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: CLEO/Europe-EQEC  ページ:発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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自己組織化量子ドット(QD)に基づく半導体レーザは,光ネットワークへの応用のための有望な供給源である。全ての三空間次元における電荷キャリア閉込め超低しきい値電流,高い材料利得,線幅と弱い温度依存性のような特別な属性の範囲をもたらす通常の量子井戸レーザ[1]と比較した。適切な条件下で作動するとき,QDレーザは,QD基底状態(GS)から,第一励起状態(ES)からの光を放出するだけでなくできる。比較的遅いQDキャリア動力学はES集団の不完全な利得クランピング,同時二状態レーザ発振を可能にすることを生じさせる。この現象,多モードレーザ発振と混同であることはなく,すべてのレーザの中では独特である。さらに,いくつかの材料系は減少傾向を示すあるいはESレーザ発振[2]の発症後GS強度の消光を完全なものとした。すべてのGSとESレーザ発振の光スイッチングとそのような冷却デバイスのGSへの注入による光学的に誘起されたヒステリシスを実験で観測し,最近報告されている[3]。モデルを用いた基底状態への外部光注入下でのこれらの装置の動力学,半導体Bloch方程式に基づいており,微視的に計算した電荷キャリア散乱速度を含むを数値的に調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体レーザ 
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