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J-GLOBAL ID：201702221412225231   整理番号：17A1359864

NH_3プラズマ処理によるウェークアップと疲労の影響のない強誘電HfZrO_xの優れた信頼性【Powered by NICT】

Excellent reliability of ferroelectric HfZrO_x free from wake-up and fatigue effects by NH₃ plasma treatment

著者 (3件)： Chen Kuen-Yi (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, 300, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Pin-Hsuan (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, 300, Hsinchu, Taiwan) ,  Wu Yung-Hsien (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, 300, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Technology  ページ： T84-T85  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラットフォームとしてTiN/ferroelectric HfZrO_x(HZO)/TiNキャパシタにより,NH_3プラズマ処理は異なるHZO/TiN界面で使用されている信頼性に及ぼす影響を調べることであった。電気29~30,低漏れ電流と2P_r20.2μC/cm~2高κ値106サイクルまで(±2.5MV/cm,1msの長いパルス幅)覚醒と疲労の影響を受けないHZOは頂部及び底部両界面での処理によって達成することができることを確認した。酸素欠損HZOを引き起こす界面TiO_xN_yは効果的に抑制されることを,HfO_2~ベースFEの大きな進歩は,主にHZO,特に底部界面での処理中の酸素空格子点(Vo)の有意な減少に起因すると考えられる。NH_3処理HZOはサイクル中の新しいVoのピン止めされた分域壁と発生を抑制するために有益であることを少ないVo(7%低い非格子酸素)で確認,ウェークアップと疲労効果を除去する物理的にした。群を抜く緩和疲労も85°Cで維持されるプロセスは高度FEデバイスの信頼性を高めるための新しいアプローチを先導する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： コンデンサ ,  パルス幅 ,  界面 ,  覚醒 ,  *プラズマ処理 ,  *信頼性 ,  緩和現象 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 格子酸素 ,  酸素空格子点 ,  酸素欠陥 ,  窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマ処理 ,  ウェーク ,  疲労