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J-GLOBAL ID：201702221532807037   整理番号：17A0544795

大面積用途のための酸化亜鉛スズ薄膜トランジスタの皺のないグラフェン電極

Wrinkle-free graphene electrodes in zinc tin oxide thin-film transistors for large area applications

著者 (6件)： LEE Se-Hee (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM Jae-Hee (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  PARK Byeong-Ju (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  PARK Jozeph (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  KIM Hyun-Suk (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  YOON Soon-Gil (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 7  ページ： 075205,1-6  発行年： 2017年02月17日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可撓性のあるフラットパネルディスプレイの開発のためには,変形によって破損し易い現在の金属電極の代替材料が必要となる。グラフェンが有力な候補であるが,大面積の基板上のグラフェン膜形成は,皺が発生し易い。著者らは,ガラス基板とグラフェンの間の接着層としてTi薄膜を用いて皺の発生を防止する方法を以前に報告した。本稿では,酸化亜鉛スズ(ZTO)TFTのソース-ドレイン電極としてTi/グラフェンの積層を用いて,電極に皺のないZTO TFTを製作することに成功した。しかし,空気中でデバイスに熱処理をすると,アニール温度の上昇とともにグラフェンの抵抗率が増加し,スイッチング電流が減少した。XPS分析によると,ZTO/Ti界面における酸化チタンの中間層形成がデバイスの接触抵抗に大きく影響した。オフ時のリーク電流を減少させるが,同時にそれはデバイス性能を損なう可能性もある。性能に悪影響を与えない代替接着層の研究が今後の課題である。

シソーラス用語： スズ化合物 ,  酸化亜鉛 ,  *薄膜トランジスタ ,  皺 ,  *炭素電極 ,  層 ,  化合物半導体 ,  *フラットパネルディスプレイ
準シソーラス用語： 酸化亜鉛スズ ,  *グラフェン電極 ,  接着層 ,  酸化物半導体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大面積 ,  用途 ,  酸化亜鉛スズ ,  薄膜トランジスタ ,  皺 ,  グラフェン電極