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J-GLOBAL ID：201702221553679440   整理番号：17A1967734

AlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造における2次元電子ガスの流動輸送【Powered by NICT】

Streaming transport of two dimensional electron gas in AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructures

著者 (7件)： Liu Dongfeng (School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, PR China) ,  Liu Dongfeng (Synergy Innovation Institute of GDUT, Heyuan 517000, Guangdong Province, PR China) ,  Lin Donghua (School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, PR China) ,  Huang Guohong (School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, PR China) ,  Huang Guohong (Synergy Innovation Institute of GDUT, Heyuan 517000, Guangdong Province, PR China) ,  Li Zhizhong (School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, PR China) ,  Guo Kangxian (Department of Physics, College of Physics and Electrical Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 112  ページ： 57-63  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造(DH)における二次元電子ガス(2DEG)のストリーミング輸送をアンサンブルモンテカルロシミュレーション法を用いて研究した。Al組成,GaNチャネル幅,界面粗さ,および温度のような,DHの基本パラメータに及ぼす流動輸送の依存性を得た。DHのみで2次元電子ガスのストリーミング輸送はこれらの基本パラメータの注意深い選択と界面に平行な外部印加電場により実現できることを実証した。低Al組成と広いGaNチャネルを用いて得られる,弱い合金不規則性(ADO)と界面粗さ(IFR)散乱はDHにおける流動輸送に有利である。一方,転位散乱は一過性ドリフト速度,ADOとIFR散乱に比べ明らかな影響を持たないことが分かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  チャネル ,  *二次元電子ガス ,  界面 ,  電場 ,  散乱 ,  *アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  ドリフト速度 ,  ストリーミング
準シソーラス用語： 転位散乱 ,  不規則性 ,  界面粗さ ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  2次元電子ガス ,  流動 ,  輸送