文献

J-GLOBAL ID：201702221588087489   整理番号：17A1772444

Schottky障壁ソースゲート型トランジスタのソース領域のための設計考察【Powered by NICT】

Design considerations for the source region of Schottky-barrier source-gated transistors

著者 (2件)： Sporea R. A. (Advanced Technology Institute, University of Surrey Guildford, Surrey, GU2 7XH, U.K) ,  Silva S. R. P. (Advanced Technology Institute, University of Surrey Guildford, Surrey, GU2 7XH, U.K)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CAS  ページ： 155-158  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソースゲートトランジスタ(SGT)は,アナログとディジタル両運転のために好ましい操作特性を持つ電界効果デバイスである。とは異なり従来のトランジスタにおいて,S,ソース電極の長さはSGTの挙動に重要な役割を果たしている可能性がある。運転モード(電流注入の支配的機構)に従った供給源領域形状の最適化より大きな飽和電流,増大したスイッチング速度,または高い利得をもたらす。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  運転モード ,  アナログ系 ,  ディジタル方式 ,  最適化 ,  *Schottky障壁 ,  利得
準シソーラス用語： スイッチング速度 ,  飽和電流 ,  電流注入 ,  電界効果デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Schottky障壁 ,  ソース ,  ゲート ,  トランジスタ ,  設計