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J-GLOBAL ID：201702221616556060   整理番号：17A0443941

硝酸及び塩酸浴におけるBi_2Te_3電析物の微細組織と熱電特性【Powered by NICT】

Microstructure and thermoelectric properties of Bi₂Te₃ electrodeposits plated in nitric and hydrochloric acid baths

著者 (5件)： Kang Wan-Shan (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan) ,  Li Wen-Jin (Material and Chemical Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan) ,  Chou Wei-Chen (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan) ,  Tseng Mao-Feng (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan) ,  Lin Chao-Sung (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 623  ページ： 90-97  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硝酸と塩酸溶液中の一元および二元ビスマスカチオン(Bi~III), テルルカチオン(Te~IV)の還元挙動を異なる酸濃度で研究した。硝酸塩浴と比較して,Bi~IIIの還元は遅延し,Te~IVの還元は塩酸中で促進された。その結果,Bi~IIIとTe~IVの還元電位の差は,塩化物イオンの存在下で著しく減少した。酸濃度はTe析出物の形態に影響を及ぼし特異的に粗い堆積物は高い酸濃度で電気めっきした。 20mV(対飽和カロメル電極(SCE)で0.7M HNO_3から得られた25μm Bi_2Te_3膜は(110)優先配向した柱状構造を示し,そのSeebeck係数と力率は 72.3μV/Kと732μW/mK~2であった。25μm平滑,コンパクト,ナノ結晶粒Bi_2Te_3膜は 20mV対SCEで0.35MH Cl中で作製し,そのSeebeck係数と力率は 105.0μV/Kと169μW/mK~2であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 力率 ,  *テルル ,  *塩酸 ,  優先配向 ,  塩浴 ,  ナノ結晶 ,  析出物 ,  *電着 ,  塩素 ,  *硝酸 ,  電気めっき
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  柱状構造 ,  塩化物イオン ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： テルル化ビスマス ,  電着 ,  熱電特性 ,  ナノgrains

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硝酸 ,  塩酸 ,  電析 ,  微細組織 ,  熱電特性