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J-GLOBAL ID:201702221648505993   整理番号:17A0909894

SnX_2(X=S, Se)半導体ナノシートの非線形光吸収【Powered by NICT】

Nonlinear optical absorption of SnX2 (X = S, Se) semiconductor nanosheets
著者 (4件):
資料名:
巻: 713  ページ: 38-45  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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SnS_2とSnSe_2などのすず系二カルコゲン化物はナノテクノロジーにおける次世代オプトエレクトロニクスおよびフォトニックデバイスへの大きな可能性のために広く注目を集めている。は532nmのナノ秒パルスとピコ秒パルスによるZ走査法を用いて初めてSnS_2とSnSe_2ナノシートの非線形吸収を調べた。Z走査測定はSnS_2ナノシート分散液を異なるパルス下での逆可飽和吸収(RSA)挙動,異なるバンドギャップから生じたSnSe_2ナノシート分散系で観察された可飽和吸収(SA)と対照的であることを示すことを明らかにした。ナノ秒領域における6.16μJの入力エネルギーでの0.75の線形透過率とエタノール中に分散したSnS_2の非線形吸収係数(β)および性能指数(FOM)はそれぞれ12.78×10~ 10m/Wと8.71×10~ 11esucmであった。SnSe_2ナノシート分散系では,βおよびFOMは同じ入力エネルギーで 12.58×10~ 10m/Wと11.98×10~ 11esucmであった。小さい光学リミッティングしきい値F_th(0.23 J/cm~2)に結合したRSA挙動をレーザ誘起損傷から敏感な光学部品や眼を保護するための有望な2D材料をSnS_2を証明した。SA性能は,光スイッチのような高性能ナノスケールナノフォトニックデバイスのための有望な候補をSnSe_2ナノシートを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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無機物質からなる多成分系の相平衡・状態図  ,  金属系の相平衡・状態図  ,  半導体結晶の電子構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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