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J-GLOBAL ID：201702221663037569   整理番号：17A1096360

摩擦電気電荷トップゲートグラフェントランジスタ【Powered by NICT】

A triboelectric charge top-gated graphene transistor

著者 (4件)： Qu Weimiao (Department of Microelectronics, School of Electronics and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Liu Weihua (Department of Microelectronics, School of Electronics and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Li Xin (Department of Microelectronics, School of Electronics and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Wang Xiaoli (Department of Microelectronics, School of Electronics and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 73  ページ： 33-38  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子ポリメタクリル酸メチル(PMMA)またはポリジメチルシロキサン(PDMS)不動態層を有するグラフェンチャネルはSi/SiO_2基板上に作製した。不動態層に及ぼす外来刺激とin situに発生させた摩擦電気電荷に摩擦電気電荷のゲート効果は,外来刺激(PDMSまたはアクリル板)接触を制御することによって,または不動態層ではなく試験した。負に帯電したPDMS(正に帯電したアクリル)刺激は不動態層に触れることなくデバイスに近づき,離れると,チャネル抵抗はパルス減少(増加)を示した振幅1%以下であった。刺激装置は不動態層と一時的なタッチを持つとき,PMMA(PDMS)不動態層上にin situに発生させた摩擦電荷は,チャネル抵抗の段階的増加(減少)を引き起こす。PMMA不動態層(厚さ2μm)素子の抵抗変化段階の振幅はPDMS不動態層(厚さ約60μm)をもつ素子のそれよりも約一桁大きかった。不動態層と刺激装置を触れるか否かに依存してデバイスの顕著な異なる応答は摩擦帯電トップゲートグラフェンチャネルのための二つの可能な操作モデルを示唆した。トライボトロニクス効果に基づく触覚センサと圧力センサの多様な設計を可能にする。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  パルス ,  *摩擦電気 ,  触覚センサ ,  ポリジメチルシロキサン ,  帯電 ,  *電荷 ,  圧力センサ ,  不動態 ,  *グラフェン ,  チャネル
準シソーラス用語： 摩擦帯電 ,  抵抗変化 ,  アクリル板 ,  ゲート効果 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  帯電

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 摩擦電気 ,  電荷