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J-GLOBAL ID：201702221681973504   整理番号：17A1134588

有機電界効果トランジスタのためのゾル-ゲル法によるチタニア-シリカハイブリッド膜

Titania-silica hybrid films derived by a sol-gel process for organic field effect transistors

著者 (5件)： HU Jiaxing (Xi’an Jiaotong Univ., Shaanxi, CHN) ,  HU Jiaxing (Xi’an Technol. Univ., Shaanxi CHN) ,  QUE Wenxiu (Xi’an Jiaotong Univ., Shaanxi, CHN) ,  CHEN Zhili (Xi’an Technol. Univ., Shaanxi CHN) ,  SHAO Jinyou (Xi’an Jiaotong Univ., Shaanxi, CHN)
資料名： Journal of Sol-Gel Science and Technology  (Journal of Sol-Gel Science and Technology)
巻： 83  号： 3  ページ： 666-674  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： W0812A  ISSN： 0928-0707  CODEN： JSGTEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル法とスピンコーティング法を組み合わせて酸触媒有機変性シラン溶液から,厚さが300nmのチタニア-シリカハイブリッド膜を製造した。1000°Cで熱処理することにより有機基は完全に除去された。このチタニア-シリカ膜の漏れ電流はバイアス電圧30Vの下で1nAcm^-1の極小さい値を示し,誘電率は高温でウェハ表面の酸化により減少した。シリコンとチタンのモル比が1:1より大きい場合にはこの薄膜の漏れ電流は熱処理温度の上昇とともに増加し,降伏電圧は減少した。このハイブリッド膜を有機電界効果トランジスタ(OFET)の誘電体層として使用して製造したOFETは,低いサブ閾値スイング(SS),低オフ電流および相対的に低い閾値電圧を示した。熱成長SiO₂から製造したOFETと比較して移動度,閾値電圧,SSが明らかに向上した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  ゾル-ゲル法 ,  *酸化チタン ,  *二酸化ケイ素 ,  ハイブリッド方式 ,  スピンコーティング ,  酸触媒反応 ,  シラン ,  膜厚 ,  焼成 ,  加熱温度 ,  漏れ電流 ,  バイアス ,  誘電率 ,  ウエハ【IC】 ,  モル比 ,  絶縁破壊 ,  電圧 ,  誘電体薄膜 ,  閾値 ,  性能指数 ,  移動度
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  降伏電圧 ,  有機電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機電界効果トランジスタ ,  ゾル-ゲル法 ,  チタニア ,  シリカ ,  ハイブリッド膜