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J-GLOBAL ID：201702221702602319   整理番号：17A0549553

蓄積電荷法による金属/ペンタセン界面の電荷注入障壁の測定

著者 (8件)： 大塚理人 (兵庫県大 院) ,  角屋智史 (兵庫県大 院) ,  荻野晃成 (兵庫県大 院) ,  佐藤井一 (兵庫県大 院) ,  横松得滋 (兵庫県大 院) ,  前中一介 (兵庫県大 院) ,  山田順一 (兵庫県大 院) ,  田島裕之 (兵庫県大 院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-302-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *金属 ,  界面 ,  *有機半導体 ,  *キャリア注入 ,  *Schottky障壁 ,  *電流 ,  変位電流 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 電荷注入

分類 (2件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 蓄積電荷 ,  ペンタセン ,  界面 ,  電荷注入 ,  障壁