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J-GLOBAL ID：201702221771679617   整理番号：17A1217335

TTF-TCNQ界面での二次元電荷移動状態の厚さ【Powered by NICT】

The thickness of the two-dimensional charge transfer state at the TTF-TCNQ interface

著者 (4件)： Kattel Bhupal (Department of Physics and Astronomy, University of Kansas, Lawrence, KS 66045, USA) ,  Wang Ti (Department of Physics and Astronomy, University of Kansas, Lawrence, KS 66045, USA) ,  Kafle Tika R. (Department of Physics and Astronomy, University of Kansas, Lawrence, KS 66045, USA) ,  Chan Wai-Lun (Department of Physics and Astronomy, University of Kansas, Lawrence, KS 66045, USA)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 48  ページ： 371-376  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つの材料の間の界面の特性は,構成成分のものと有意に異なる可能性がある。TTFとTCNQはいずれもワイドギャップ半導体であるにもかかわらず,一つの例は,テトラチアフルバレン(TTF)-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(TCNQ)界面,界面は金属的であることである。応用の可能性にもかかわらず,界面伝導の機構は不明のままである。本研究では,紫外光電子分光法と電気測定を用いる界面電荷の物理的性質とこの界面状態の空間的広がりを決定した。界面伝導率の原因であることを電荷移動状態は非常に局所的であることが分かった。界面から離れた≒1 2nm拡張だけであった。さらに,界面での電子-正孔対は,Coulomb相互作用による束縛された励起子を形成した。バルクTTF単結晶上の2.4nm TCNQ層を蒸着するだけで観察されたシート抵抗の大きさ減少のオーミック挙動と次数。この高導電性状態の超薄特性は,超薄または電界効果有機デバイスに容易に組み込むことができることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単結晶 ,  電気測定 ,  電場効果 ,  電子正孔対 ,  シート抵抗 ,  *電荷 ,  *界面 ,  Coulomb相互作用 ,  表面準位 ,  *二次元 ,  励起子 ,  導電性 ,  脂環式化合物 ,  ニトリル ,  ジエン ,  キノイド化合物
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 ,  *電荷移動状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 有機結晶 ,  光電子放出分光法 ,  電荷移動状態

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： TCNQ

タイトルに関連する用語 (4件)： TTF-TCNQ ,  界面 ,  電荷移動状態 ,  厚さ