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J-GLOBAL ID：201702221815843319   整理番号：17A1558553

V_2O_5nH_2OキセロゲルにおけるαV_2O_5表面と吸収への水の吸着:電子構造のDFT研究【Powered by NICT】

Water adsorption on α-V₂O₅ surface and absorption in V₂O₅ nH₂O xerogel: DFT study of electronic structure

著者 (3件)： Porsev Vitaly V. (Quantum Chemistry Department, St. Petersburg State University, 7/9 Universitetskaya nab., 199034, St. Petersburg, Russia) ,  Bandura Andrei V. (Quantum Chemistry Department, St. Petersburg State University, 7/9 Universitetskaya nab., 199034, St. Petersburg, Russia) ,  Evarestov Robert A. (Quantum Chemistry Department, St. Petersburg State University, 7/9 Universitetskaya nab., 199034, St. Petersburg, Russia)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 666  ページ： 76-83  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (001)末端αV_2O_5表面上の水の吸着を密度汎関数理論の枠内で調べた。計算によると,分子吸着が有利であり,二種類の吸着サイト(O原子上のV原子とLewis塩基中心上のLewis酸中心)が見出された。Lewis酸サイト上への水の吸着はV_2O_5表面の電子構造を変化させなかった。Lewis塩基部位への吸着は,好ましくないであるが半分(2.5~1.3eV)によりバンドギャップ値を減少させた。この減少の理由は,V_2O_5表面の禁制ギャップ内の水分子の非結合1b_2電子状態の局在化である。V_2O_5nH_2Oキセロゲルの理想化された構造は0と1での計算により調べた。Lewis塩基部位のみが水位置に適していることを証明した。n=1では,キセロゲル中の水吸収エネルギーはαV_2O_5表面の酸素原子上への水の吸着エネルギーに近かった。禁制ギャップにおける物理的に吸収された水の非結合状態の存在もキセロゲル事例において見出された。これは2.7eVから0.7eVへのバンドギャップの減少をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電子構造 ,  Lewis塩基 ,  電子状態 ,  密度汎関数法 ,  吸着エネルギー ,  Lewis酸 ,  *キセロゲル ,  バンドギャップ ,  *吸着 ,  水分子
準シソーラス用語： 酸素原子 ,  吸収エネルギー ,  局在化 ,  吸着サイト ,  分子吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： V_2O_5 ,  Xerogel ,  吸着水 ,  状態の電子密度 ,  バンドギャップ ,  DFT

分類 (3件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： キセロゲル ,  水 ,  吸着 ,  電子構造 ,  DFT ,  研究