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J-GLOBAL ID:201702221889651889   整理番号:17A0328630

フロント表面における二次元フォトニック結晶構造を用いた薄膜GaAs太陽電池における光トラッピングの設計と解析【Powered by NICT】

Design and Analysis of Light Trapping in Thin Film GaAs Solar Cells Using 2-D Photonic Crystal Structures at Front Surface
著者 (2件):
資料名:
巻: 53  号:ページ: ROMBUNNO.4800109.1-9  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0432A  ISSN: 0018-9197  CODEN: IEJQA7  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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GaAs材料の活性層上の近傍に置かれたp ALGaAs窓層を内部に透明導電性酸化物から周期的パターンをもつ2次元フォトニック結晶(PhC)構造に基づく薄膜ヘテロ接合GaAs太陽電池を用いた設計を提案した。本論文では,必要な全てのパラメータの理論的光学的研究と最適化を提示した。本論文では,50nm活性層のための一般化された方法で薄い活性層細胞のための光学的最適化研究を紹介し,提案した構造の性能を,Lambert限界と平面電池と比較して,参照として採用した。はこれらの波長スケールの周期構造は電池の性能を大きく増強すると予測されている。性能の改善は基本的にPhC構造のために頂部から良好な回折能力,インピーダンス整合,高い波長光子の捕獲,及び反射の減少を説明した。パラメータは厳密な結合波解析により最適化し,計算した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (5件):
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光電デバイス一般  ,  発光素子  ,  半導体レーザ  ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 

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