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J-GLOBAL ID：201702221896534242   整理番号：17A0955333

反射防止膜のフラッシュランプアニーリングによるアモルファスシリコンの結晶化に及ぼす効果

Effect of antireflection coating on the crystallization of amorphous silicon films by flash lamp annealing

著者 (2件)： SONODA Yuki (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  OHDAIRA Keisuke (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CS10.1-04CS10.4  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,窒化ケイ素(SiN_x)反射防止膜を用いて,電子ビーム蒸着アモルファスシリコン(a-Si)膜の結晶化に要するプラッシュランプパルスのフルエンスを低減することに成功している。SiN_xがa-Si表面上にある場合またはフラッシュランプアニーリング(FLA)がフィルム側から行われる場合のみならず,SiN_xがガラスとa--Siの間に挿入され,フラッシュパルスがガラス側から供給される場合でも,SiN_xの反射防止効果を確かめている。著者らはまた,反射スペクトルを用いて実際にa-Si薄膜に到達するフラッシュランプパルスエネルギーを計算することにより,a-Siフィルムの結晶化のためのフラッシュランプパルスのフルエンスにおける減少がSiN_xの反射防止効果によることを定量的に明らかにする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *反射防止膜 ,  電子ビーム蒸着 ,  *アモルファスシリコン ,  *結晶化 ,  閃光電球 ,  *熱処理 ,  *フルエンス
準シソーラス用語： フラッシュランプ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (30件)：

• M. A. Green, Sol. Energy 74, 181 (2003).
• W. Fuhs, S. Gall, B. Rau, M. Schmidt, and J. Schneider, Sol. Energy 77, 961 (2004).
• M. Spitzer, J. Schewchun, E. S. Vera, and J. J. Lofersky, Proc. 14th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1980, p. 375.
• A. A. D. T. Adikaari, N. K. Mudugamuwa, and S. R. P. Silva, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 92, 634 (2008).
• J. K. Saha, K. Haruta, M. Yeo, T. Koabayshi, and H. Shirai, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93, 1154 (2009).

タイトルに関連する用語 (3件)： 反射防止膜 ,  アモルファスシリコン ,  結晶化