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J-GLOBAL ID：201702222035694957   整理番号：17A0451561

マイクロスケールシリコンにおける温度依存性の破壊発生【Powered by NICT】

Temperature dependent fracture initiation in microscale silicon

著者 (7件)： Hintsala Eric D. (Hysitron Inc., Minneapolis, MN, USA) ,  Hintsala Eric D. (University of Minnesota, Department of Chemical Engineering and Materials Science, Minneapolis, MN, USA) ,  Bhowmick Sanjit (Hysitron Inc., Minneapolis, MN, USA) ,  Yueyue Xie (University of Houston, Department of Civil Engineering, Houston, TX, USA) ,  Ballarini Roberto (University of Houston, Department of Civil Engineering, Houston, TX, USA) ,  Asif S. A. Syed (Hysitron Inc., Minneapolis, MN, USA) ,  Gerberich William W. (University of Minnesota, Department of Chemical Engineering and Materials Science, Minneapolis, MN, USA)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 130  ページ： 78-82  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： はマイクロスケールでの温度の関数としてのシリコンの破壊を調べる新規なその場走査型電子顕微鏡実験,室温から600°Cまでを示した。450°C以上での転位活性の明確な死後TEM観察は亀裂先端転位放出からの逆応力は開始時の負荷応力強度を上昇させ,300°Cで始まる脆性-延性遷移の一部としてことを示唆した。これは他のマイクロスケール測定と一致しているが,これらの実験は直接亀裂進展を観察し,転位活性を調べるために事後分析を実施するそれぞれの能力には特に注目に値する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  延性-脆性遷移 ,  亀裂伝搬 ,  亀裂先端 ,  脆性 ,  *ケイ素 ,  *温度依存性 ,  延性
準シソーラス用語： 逆応力 ,  透過型電子顕微鏡法 ,  温度関数 ,  *マイクロスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコン ,  破壊 ,  脆性-延性遷移 ,  ナノ機械的試験 ,  電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F) ,  機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (2件)： 温度依存性 ,  破壊