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J-GLOBAL ID:201702222069790593   整理番号:17A0618658

GaAsおよびInAsナノワイヤの金シード成長を理解するための相図

Phase diagrams for understanding gold-seeded growth of GaAs and InAs nanowires
著者 (2件):
資料名:
巻: 50  号: 13  ページ: 134002,1-8  発行年: 2017年04月05日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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半導体ナノワイヤは,将来の電子および光電子デバイスにおいて用いられる可能性を有する。本研究では,CALPHAD法を用いて相図計算の原理を概説した。また,As-Au-Ga三元系を評価することによってデータベース開発手順を説明した。計算された垂直断面は,利用可能な実験データとよく一致した。このシステムは,Au粒子を用いたGaAsナノワイヤの成長メカニズムを理解するのに有用である。ナノワイヤ成長のための状態図の例として,本研究では,As-Au-GaおよびAs-Au-In三元データベースを用いて,GaAsおよびInAsナノワイヤの成長中のAuシード合金の状態を予測した。計算結果は,液状粒子からのInAsナノワイヤの成長が失敗する一方で,液体種子合金を使用するGaAsナノワイヤの成長が広い温度範囲にわたって可能であることを示した。この例は,位相図が成長メカニズムを理解するための有用なツールであることを実際に示した。
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長  ,  無機物質からなる多成分系の相平衡・状態図 

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