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J-GLOBAL ID：201702222077616999   整理番号：17A1256490

歪んだリング発振器に基づくRTNゲートサイズ依存性の統計的モデル化方法論【Powered by NICT】

A statistical modeling methodology of RTN gate size dependency based on skewed ring oscillators

著者 (3件)： Islam A.K.M. Mahfuzul (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, 153-8505, JAPAN) ,  Nakai Tatsuya (Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, 606-8501, JAPAN) ,  Onodera Hidetoshi (Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, 606-8501, JAPAN)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICMTS  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだリング発振器(RO)構造を利用したRTN(ランダムテレグラフノイズ)ゲートサイズ依存性の統計的モデリング手法を提案した。反復の特性評価フローはpMOSFETの各ゲートサイズのRTN誘起しきい値分布を推定し,独立してnMOSFETを開発した。スキューRO試験構造は,65nm SOTB(Silicon On薄体)プロセスで製作した。対数正規分布は,RTN誘起遅延分布を十分に表していることが観察された。ゲートサイズ依存性のRTNモデルを用いて,測定データを用いて開発し,検証した。モデルに基づく遅延分布推定と測定は良く一致した。提案した抽出法は,任意のゲートサイズをもつトランジスタのRTNを推定するのが適している。種々のゲートサイズのトランジスタが使用されるモデルは,ディジタル回路の信頼性と最悪ケース分析を助ける。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *リング発振器 ,  トランジスタ ,  ゆがみ ,  ディジタル方式 ,  キャラクタリゼーション ,  対数正規分布 ,  *モデリング
準シソーラス用語： 分布推定 ,  nMOSFET ,  pMOSFET ,  統計的モデリング ,  ランダムテレグラフノイズ ,  *サイズ依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： リング発振器 ,  ゲート ,  サイズ依存性 ,  統計 ,  モデル化 ,  方法論