文献

J-GLOBAL ID：201702222080456941   整理番号：17A1456401

GaN薄膜の成長に及ぼすサファイア基板の裏面粗さの影響【Powered by NICT】

Effect of back-surface roughness of sapphire substrate on growth of GaN thin films

著者 (3件)： Aida Hideo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd, 3-8-22 Shinden, Adachi-ku, Tokyo 123-8511, Japan) ,  Kim Seong-woo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd, 3-8-22 Shinden, Adachi-ku, Tokyo 123-8511, Japan) ,  Suzuki Toshimasa (Nippon Institute of Technology, 4-1 Gakuendai, Saitama 345-8501, Japan)
資料名： Precision Engineering  (Precision Engineering)
巻： 50  ページ： 142-147  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0734B  ISSN： 0141-6359  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 入射X線のスリット幅の関数としてのサファイア(0006)反射のX線回折ロッキングカーブの半値全幅(FWHM)の変化は高温でのGaN-オン-サファイア基板のたわみ挙動に及ぼすサファイア基板の裏面粗さの影響を研究するために,25から800°Cまでの高温のGaN-オン-サファイア基板に対して測定した。サファイア上GaN基板のボウイングの程度は測定したFWHMからロッキングカーブ広がり効果を測定することにより推定され,結晶は,その物理的形状の曲率を持つならば,ロッキングカーブは広がったためであろう。GaN-オン-サファイア基板は,典型的には室温で凸方向にわん曲し,この凸湾曲は減少し,平坦で,温度の上昇と共に凹面になったことが分かった。GaN-オン-サファイア基板が平坦な温度における明確な差はサファイア基板の裏面粗さの関数として示した。サファイア基板の裏面粗さは基板直径を横切るLED波長の均一性に直接影響を及ぼすことが示唆されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロッキングカーブ ,  X線 ,  凹面 ,  FWHM ,  *窒化ガリウム ,  曲率 ,  *サファイア ,  波長 ,  高温 ,  *薄膜 ,  凸形 ,  X線回折 ,  たわみ ,  湾曲 ,  *サファイア基板 ,  *鉱石 ,  *宝石

著者キーワード (4件)： サファイア基板 ,  湾曲 ,  GaNエピタクシー ,  X線ロッキング曲線

分類 (5件)： 研削  (QC03000R) ,  研削・研摩材  (YC06020Q) ,  特殊加工  (QC04000Y) ,  その他の表面処理  (WC08070F) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  薄膜 ,  成長 ,  サファイア基板 ,  粗さ