文献

J-GLOBAL ID：201702222135010700   整理番号：17A0754207

ゾル-ゲル誘導WO_3 SnO_2二重層薄膜のH_2応答特性【Powered by NICT】

H₂ response characteristics for sol-gel-derived WO₃-SnO₂ dual-layer thin films

著者 (7件)： Zhang Zili (College of Mechanical and Power Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, PR China) ,  Yin Chenbo (College of Mechanical and Power Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, PR China) ,  Yang Liu (College of Mechanical and Power Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, PR China) ,  Jia Wenhua (College of Mechanical Engineering, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, PR China) ,  Zhou Junjing (College of Mechanical and Power Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, PR China) ,  Xu Haihan (College of Mechanical and Power Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, PR China) ,  Cao Donghui (Sany Group Co., Ltd., Suzhou 215300, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 9  ページ： 6693-6699  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ゾル-ゲル法を用いてSnO_2とWO_3薄膜とWO_3 SnO_2二重層薄膜の堆積について述べた。これら三薄膜の微細構造と形態をFE-SEMとX線回折で分析した。,応答の大きさ,時間および三試料の過渡現象を含むH_2応答特性を異なる動作温度とH_2ガス濃度で調べた。1000ppmH_2ガスに対して29.31の最大応答の大きさは225°Cで出現したが,WO_3 SnO_2二重層膜は175°Cでの応答マグニチュード24.23の,SnO_2(4.19)とWO_3(6.73)薄膜のそれよりもはるかに高いを持っていた。WO_3 SnO_2二重層薄膜H_2ガス濃度への線形応答の大きさプロファイルが得られた。強化されたガス応答特性の機構は,バンド曲げ理論によって説明された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *応答特性 ,  X線回折 ,  *薄膜 ,  ゾル-ゲル法 ,  過渡現象 ,  微細構造 ,  *ゲル
準シソーラス用語： 線形応答 ,  ガス濃度 ,  動作温度 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  *二重層 ,  *ゾル-ゲル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： H_2応答特性 ,  WO_3 SnO_2二層薄膜 ,  ゾル-ゲル ,  バンド曲げ理論

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゾル-ゲル ,  誘導 ,  二重層 ,  薄膜 ,  応答特性