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J-GLOBAL ID:201702222219995579   整理番号:17A1589550

二次元材料の外部成長の原子スケール機構:特性と共通性【JST・京大機械翻訳】

Atomistic mechanisms of epitaxial growth of two-dimensional materials: uniqueness and commonality
著者 (2件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 222-232  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0473A  ISSN: 0379-4148  CODEN: WULIA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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グラフェンからグラフェンを剥離した後、原子層の厚さの層状(又は二次元)材料だけがその豊富な奇妙な物性により、現在の凝縮状態物理と材料科学の中心舞台を占めている。拡大している二次元材料ファミリーは、グラフェン、シリセン、ホスファゼン、ホウ素、六方晶窒化ホウ素、遷移金属ジスルフィド族化合物、さらには強いトポロジー絶縁体などを含み、個々のメンバーはその独特な物性、調製方法を持つだけではなく、また大家族にも共通性がある。例えば、単層材料と基板の間、層と層の間にはほとんど弱いファンデルワールス力が結合している。任意の二次元ファミリーメンバーに対する深い理解は、本当にこの大きな家族に対して普遍的な価値がある。本論文では,最初に,van der Waals材料の非平衡エピタキシャル成長における主な原子過程と対応する形態発展を紹介した。さらに、二次元材料の横方向あるいは垂直積層のヘテロ接合におけるファンデルワールス相互作用の重要性を検討した。原子スケールの成長メカニズムのほか、二次元材料の物性の最適化と機能化についてもいくつかの最新の進展を紹介し、具体的な例は光学、電気、スピン電子学、触媒などの領域をカバーする。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 
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