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J-GLOBAL ID：201702222253090482   整理番号：17A0854881

CrドープCdGeAs_2結晶の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of Cr-doped CdGeAs₂ crystal

著者 (6件)： Pu Yunxiao (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Zhu Shifu (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Zhao Beijun (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  He Zhiyu (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Chen Baojun (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Huang Wei (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 467  ページ： 150-154  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CrドープCdGeAs_2多結晶は,機械的および温度振動法と組み合わせた単一温度領域で合成し,Φ17mm×30mmのCrドープCdGeAs_2単結晶を改良Bridgman法により成長させた。CrドープCdGeAs_2の結晶構造,電気的性質およびドーピング含有量を,高分解能XRD,Hall効果とICPで特性化した。XPS測定では,CrドープCdGeAs_2結晶の高分解能走査スペクトルを初めて得られ,Cr2p_3/2の結合エネルギーは575.44eVと576.50eVであり,Cr2p_1/2の結合エネルギーはピーク分離とフィッティングによる583.06eVと585.14eVであった。最後に,FTIRを用いてCdドープCdGeAs_2結晶の赤外特性を特性化した。結果はCr含有量が0.057%のとき,5.5μm近傍の透過率は,ドープしていない結晶に比べて少量のドーピングと共に増加し,最大42%に達することを示した。Cr含有量が0.158%に増加すると,透過率はわずかに減少し,含有量は0.324%に達したが,全波長の透過率は急激に減少した。適切な量のCrを5.5μm付近のCdGeAs_2の吸収を減少させ,赤外透過率を改善し,その応用を広げることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高分解能 ,  多結晶 ,  結晶構造 ,  *ドーピング ,  透過率 ,  X線回折 ,  結合エネルギー ,  電気的性質 ,  *結晶 ,  Hall効果 ,  単結晶 ,  *キャラクタリゼーション ,  Bridgman法 ,  *クロム
準シソーラス用語： 温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1特性化 ,  A1ドーピング ,  A1高分解能X線回折 ,  A2単結晶成長

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cr ,  ドープ ,  結晶 ,  成長 ,  特性評価