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J-GLOBAL ID：201702222260939105   整理番号：17A1639849

原子層堆積により作製した窒化ほう素薄膜の機械的性質【Powered by NICT】

Mechanical properties of boron nitride thin films prepared by atomic layer deposition

著者 (6件)： Weber Matthieu (Institut Europeen des Membranes, IEM-UMR 5635 ENSCM, UM, CNRS, Universite de Montpellier, Place Eugene Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 5, France. [e-mail]) ,  Coy Emerson ,  Iatsunskyi Igor ,  Yate Luis ,  Miele Philippe ,  Bechelany Mikhael
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 41  ページ： 6089-6094  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その広いバンドギャップのために,窒化ホウ素(BN)薄膜は,マイクロエレクトロニクスデバイスにおけるそれらの潜在的応用のために関心の焦点である。これらデバイスの信頼性は必須であり,それらの製造に使用される膜の機械的性質に直接関連している。ここで750°CでBBr_3とNH_3の逐次パルスに基づく原子層堆積(A LD)プロセスは,BN薄膜を調製するために使用されている。は種々の分析法を用いた膜の主な物理化学的性質を報告した。弾性率と硬さを決定するために,ナノインデンテーション実験を行った。,アニーリング温度との関係,得られたミクロ組織とその結果の機械的特性の理解を得るために,1000°Cと1350°Cで膜をアニーリングした。膜の硬度はすべての温度で5±1GPaの類似した値を示すが,1350°Cのアニーリング処理,750°Cで調製した初期膜と比較して37%の改善を表すを適用した場合の弾性係数は150±9GPaまで増加することが分かった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 弾性係数 ,  *薄膜 ,  パルス ,  焼なまし ,  *機械的性質 ,  *窒化ホウ素 ,  バンドギャップ ,  硬度 ,  ナノインデンテーション ,  信頼性
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  物理化学的性質 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層堆積 ,  作製 ,  窒化ほう素 ,  薄膜 ,  機械的性質