文献

J-GLOBAL ID：201702222394624915   整理番号：17A1284591

量子ビットの一つの負価状態VSiON欠陥中心として用いることができる。【JST・京大機械翻訳】

A negatively charged VSiON center for implementation as qubit

著者 (3件)： Chen Yuhao (華東師范大学極化材料与器件重点実験室,上海,200241) ,  Tang Zheng (華東師范大学極化材料与器件重点実験室,上海,200241) ,  Peng Wei (華東師范大学信息化弁公室,上海,200062)
資料名： Huadong Shifan Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban  (Huadong Shifan Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban)
号： 2  ページ： 97-106  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2921A  ISSN： 1000-5641  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： γ相Si3N4は一種の超硬窒素化合物セラミック材料であり、そのスピネル構造中のシリコン原子はそれぞれ四面体が八面体配位格子点を占めている。第一原理計算に基づいて、この材料の中の一つの酸素空孔複合体VSiON欠陥中心の異なる価状態下でのスピン分極の電子構造及びエネルギー安定性を研究し、その中でこの欠陥中心は四面体配位のシリコン空孔が隣接する酸素原子によって形成された。負の一価状態におけるこの欠陥中心VSiO-N1はp型ホスト材料中で比較的安定して存在し、純スピンS=1の基底状態三重項、及び低励起エネルギーのスピン保存遷移を満たすことが分かった。平均場近似により、絶対零度でのスピンコヒーレンスの寿命は0.4sと推定され、室温でミリ秒オーダーに達することができる。その結果,VSiON1欠陥中心が量子ビットのコヒーレント制御のための潜在的候補であることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピン分極 ,  セラミック ,  八面体 ,  平均場近似 ,  電子構造 ,  基底状態 ,  絶対零度 ,  ケイ素 ,  三重項 ,  窒素化合物 ,  *四面体 ,  励起エネルギー
準シソーラス用語： スピンコヒーレンス ,  第一原理計算 ,  *量子ビット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： first-principles calculations ,  spin-polarized electronic structures ,  spin coherent time ,  qubit operation of color centers

分類 (5件)： 非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  磁性材料  (NA04040H) ,  結晶結合  (BK05020K) ,  合成鉱物  (CD01040K)

タイトルに関連する用語 (1件)： 量子ビット