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J-GLOBAL ID：201702222443910511   整理番号：17A1256988

1/f雑音測定による22nmハーフピッチCu相互接続におけるエレクトロマイグレーション機構の研究【Powered by NICT】

Study of electromigration mechanisms in 22nm half-pitch Cu interconnects by 1/f noise measurements

著者 (7件)： Beyne S. (MTM, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44 bus 2450, B-3001, Leuven, Belgium) ,  Croes K. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001, Leuven, Belgium) ,  van der Veen M. H. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001, Leuven, Belgium) ,  Pedreira O. Varela (Imec, Kapeldreef 75, B-3001, Leuven, Belgium) ,  Qi Q. (MTM, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44 bus 2450, B-3001, Leuven, Belgium) ,  Wolf I. De (MTM, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44 bus 2450, B-3001, Leuven, Belgium) ,  Tokei Zs. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IITC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の障壁/ライナー組合せを有するCu相互接続のエレクトロマイグレーション(EM)性能は1/f(または一般的に知られている低周波として)雑音測定を用いて研究した。TaN障壁とCoライナを有するCu相互接続はRuベースライナーよりも22nmハーフピッチの低いEM活性化エネルギーを持つことを示した。実際,1nmのRuライナー(TaNおよびMnベース障壁の両方)による相互接続は,EM信頼性の点でCoライナを持つ優れている線ことが分かった。これに対する可能な説明は,Cu/Coと比較してより欠陥の少ないCu/Ru界面である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： LF【周波数】 ,  信頼性 ,  *エレクトロマイグレーション ,  *雑音測定 ,  *1/f雑音 ,  界面 ,  ライナ ,  活性化エネルギー ,  *相互接続 ,  *銅 ,  マンガン
準シソーラス用語： *ハーフピッチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 雑音測定 ,  ハーフピッチ ,  Cu ,  相互接続 ,  エレクトロマイグレーション ,  研究