文献

J-GLOBAL ID：201702222458706616   整理番号：17A1639067

全ゲートと短ゲートを備えた誘電体変調電気的にドープしたトンネルFETに基づくバイオセンサの比較分析【Powered by NICT】

Comparative analysis of full-gate and short-gate dielectric modulated electrically doped Tunnel-FET based biosensors

著者 (5件)： Sharma Dheeraj (Nanoelectronics and VLSI Lab, Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM-Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Singh Deepika (Nanoelectronics and VLSI Lab, Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM-Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Pandey Sunil (Nanoelectronics and VLSI Lab, Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM-Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Yadav Shivendra (Nanoelectronics and VLSI Lab, Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM-Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Kondekar P.N. (Nanoelectronics and VLSI Lab, Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM-Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing, Jabalpur, 482005, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 767-775  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,等価寸法の完全なゲートと短ゲート誘電体変調(DM)電気的にドープしたトンネル電界効果トランジスタ(SGDM EDTFET)に基づくバイオセンサの包括的研究を行った。しかし,両構造において,誘電率と電荷密度は,与えられた溶液中の荷電および非荷電生体分子を検出するためのセンシングパラメータとして考慮した。SGDM EDTFETアーキテクチャでは,ゲート長の減少は,生体分子の検出のための高いドレイン電流感度を保証するゲートとチャネル領域の間の強い結合の発生に起因するトンネル電流の顕著な改善が確認された。二重金属SGDM EDTFETの感度はバイオセンサ応用のための両デバイスの良好なセンシング能力を解析するために単一金属SGDM EDTFETと比較した。さらに,センシングパラメータの影響すなわち,ON電流(I),I_/I_比は,二元金属SGDM EDFETと比較して二重金属SGDM EDTFETに対して解析した。比較から,二重金属SGDM EDTFETに基づくバイオセンサは比較的良好な感度に達し,バイオセンシング応用のための適切な候補として利用できることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷 ,  誘電率 ,  *バイオセンサ ,  *ドーピング ,  チャネル ,  重金属 ,  *誘電体 ,  ゲート絶縁膜 ,  電流
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  ドレイン電流 ,  ゲート長 ,  生体分子 ,  電荷密度 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： band-to-bandトンネル(BTBT) ,  Biosensors ,  誘電体変調電気的にドープしたトンネル電界効果トランジスタ(DM EDTFET) ,  Sensitivity

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  誘電体 ,  変調 ,  ドープ ,  トンネルFET ,  バイオセンサ ,  比較分析