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J-GLOBAL ID：201702222460475782   整理番号：17A1545218

静電スプレー堆積法を用いて作製した小分子/重合体ブレンド有機電界効果トランジスタに及ぼす相分離形態の影響【Powered by NICT】

Influence of phase-separated morphology on small molecule/polymer blend organic field-effect transistors fabricated using electrostatic spray deposition

著者 (4件)： Onojima Norio (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Yamanashi, Takeda 4-3-11, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Obata Shunsuke (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Yamanashi, Takeda 4-3-11, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Nakamura Ayato (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Yamanashi, Takeda 4-3-11, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Hara Kazuhiro (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Yamanashi, Takeda 4-3-11, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 640  ページ： 99-103  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン(TIPSペンタセン)とポリ(メタクリル酸メチル)(PMMA)ブレンドに基づくボトムゲートトップコンタクト有機電界効果トランジスタ(OFET)を,静電噴霧堆積(ESD)を用いて作製した。溶媒-蒸気アニーリング(SVA)は,ブレンド膜の垂直相分離を誘導する堆積後処理として行った。相分離形態はシクロヘキサンとTIPSペンタセンの選択エッチングにより調べた。いくつかのピンホールを有する比較的粗い表面はSVAなしではエッチ膜で観察され,垂直相分離はESD過程中に十分ではなかったことを示唆した。相分離形態はSVAによって著しく修飾し,非常にはっきりした相分離構造を有するSVA処理ブレンドデバイスは,堆積したままの混合物に基づくデバイスと比較して強化された性能と操作安定性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *相分離 ,  後処理 ,  選択腐食 ,  *形態 ,  *小分子 ,  エッチング ,  焼なまし ,  ポリアセン ,  シクロアルカン
準シソーラス用語： TIPS ,  静電噴霧 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機電界効果トランジスタ ,  小分子/ポリマーブレンド ,  静電スプレー蒸着 ,  溶媒蒸気アニーリング ,  垂直相分離

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： ペンタセン ,  シクロヘキサン

タイトルに関連する用語 (8件)： 静電スプレー ,  堆積 ,  作製 ,  小分子 ,  重合体ブレンド ,  有機電界効果トランジスタ ,  相分離 ,  形態