文献

J-GLOBAL ID：201702222477183244   整理番号：17A1379926

SiCナノワイヤの熱化学と成長機構【Powered by NICT】

Thermochemistry and growth mechanism of SiC nanowires

著者 (5件)： Chen Jianjun (Department of Materials Engineering, College of Materials and Textile, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, PR China) ,  Ding Lijuan (Department of Materials Engineering, College of Materials and Textile, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, PR China) ,  Xin Lipeng (Multi-disciplinary Materials Research Center, Frontier Institute of Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Zeng Fan (Department of Materials Engineering, College of Materials and Textile, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, PR China) ,  Chen Jun (Intelligent Polymer Research Institute, University of Wollongong, Wollongong, NSW 2522, Australia)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 253  ページ： 282-286  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素熱還元反応により合成したSiCナノワイヤの化学反応熱力学と新しい2段階成長機構を広い温度範囲(1050≦T≦2000K)上のSi-C-O系に基づいて調べた。炭素熱還元反応過程はガス状SiOとCO重要な中間体の迅速形成,及びSiCへのSiOの更なる炭素削減を含んでいる。種々の圧力での自由エネルギー変化と温度の間の関係についても考察した。研究におけるいくつかの基本的なデータは,Si-C-O系であり,SiCナノワイヤ成長を制御するための温度,圧力および入力前駆体を最適化するために有益なで炭素熱還元反応の熱化学を分析するのを助けることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 還元 ,  熱力学 ,  自由エネルギー ,  *炭化ケイ素 ,  前駆体 ,  *ナノワイヤ ,  最適化 ,  化学反応 ,  中間体
準シソーラス用語： 反応過程 ,  温度範囲 ,  炭素熱還元 ,  *成長メカニズム ,  *熱化学 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiCナノワイヤ ,  熱力学 ,  成長機構 ,  炭素熱還元 ,  Si-C-O系

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  ナノワイヤ ,  熱化学 ,  成長