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J-GLOBAL ID：201702222507864594   整理番号：17A1036862

高IIP36 5mW自己バイアス0.3~3GHz小面積低雑音増幅器(LNA)【Powered by NICT】

A high IIP3 6.5 mW self-biased 0.3-3 GHz small area LNA

著者 (3件)： Costa Arthur Liraneto Torres (PGMicro - Informatics Institute) ,  Klimach Hamilton (PGMicro - Electrical Engineering Department, Federal University of Rio Grande do Sul, Porto Alegre-RS) ,  Bampi Sergio (PGMicro - Informatics Institute)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： LASCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高HP3と300MHzから3GHz低雑音増幅器(LNA),見つけることができた最小シリコン面積の1つを提示した。単一増幅器に基づいている,を系統的に,面積と電力消費を節約するより複雑な雑音消去トポロジーよりも良好な結果を達成するために最適化した。トランジスタは強反転における自己バイアスが抵抗性フィードバックを持つCMOSインバータは低NFと高IIP3のために設計され,最適化され,次にフィードバック抵抗器は入力インピーダンス整合のために計算した。130nmプロセスにおけるレイアウト後のシミュレーション結果は1.2V電源で6.5mWの12~15dB,NF< 3.6dB, 15.2~ 10.5dBのSii,4.7~5.3dBmのHP3,40μm×30μmの全面積と消費電力約電圧利得全帯域幅を示した。1000試料のためのMonte Carloシミュレーションは0.48dBmのσを3.3~6dBmのIIP3を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力消費 ,  消費電力 ,  トランジスタ ,  *低雑音増幅器 ,  抵抗器 ,  雑音除去 ,  フィードバック ,  入力インピーダンス ,  帯域幅 ,  *増幅器 ,  シミュレーション ,  最適化
準シソーラス用語： 電圧利得 ,  *IIP3 ,  *自己バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己バイアス ,  面積 ,  低雑音増幅器 ,  LNA