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J-GLOBAL ID：201702222533026664   整理番号：17A1358148

二酸化けい素表面上のグラフェンの成長に基づく超低圧力センサの設計【Powered by NICT】

Design of an ultra-low pressure sensor based on the growth of graphene on silicon dioxide surface

著者 (3件)： Tran Quochung (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Gao Chengchen (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Hao Yilong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NEMS  ページ： 526-529  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,著者らは,静電容量超低圧力センサ構造に適用グラフェンダイヤフラムの特性化のための理論解析と計算結果を提示した,半径8μm,2nm,グラフェン横隔膜の全厚さを有するグラフェン横隔膜の数層は円形空洞上の懸濁である。本論文では,グラフェン膜は直接二酸化けい素層上に大面積均一グラフェン膜を形成するために大気圧化学気相堆積法により作製した。計算結果は,この容量性圧力センサは,1Paから5Paまでの超低圧力範囲で164aF/Pa圧力感度を提供できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *圧力センサ ,  計算 ,  *低圧 ,  静電容量 ,  横隔膜 ,  *二酸化ケイ素 ,  キャラクタリゼーション ,  *グラフェン ,  化学蒸着
準シソーラス用語： 大面積 ,  理論解析 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二酸化けい素 ,  グラフェン ,  成長 ,  圧力センサ ,  設計