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J-GLOBAL ID：201702222566843451   整理番号：17A1763785

ホスホレンに基づく超高感度HCNとHNCガス検出と異なるI-V応答のNEGF解析と結合したDFT【Powered by NICT】

DFT coupled with NEGF study of ultra-sensitive HCN and HNC gases detection and distinct I-V response based on phosphorene

著者 (8件)： Pang Jiu (Faculty of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, Guangxi 541004, China) ,  Yang Qun ,  Ma Xiaosong ,  Wang Liming ,  Tan Chunjian ,  Xiong Daxi ,  Ye Huaiyu ,  Chen Xianping
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 45  ページ： 30852-30860  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純粋及びXドープホスホレン基板(X=Al,Si,およびS原子)有毒ガスHCNおよびHNCの吸着へのセンシング性能を第一原理シミュレーションにより系統的に調べた。数値結果は,元のホスホレンは中程度である吸着エネルギー,優れた電荷移動,高い感度と選択性を有するHCNおよびHNC分子に敏感であることを示し,優れたHCNとHNCセンサとしてのその応用可能性を示した。添加では,AlドープホスホレンはHCNとHNCガスに対する非常に高い反応活性を示しこのようにして,2つのHCNもしくはHNC吸着質を活性化または触媒のための金属を含まない触媒としての利用の可能性を持っている。さらに,すなわち,電流-電圧(I-V)特性,輸送特性を,密度汎関数理論(DFT)の枠内で非平衡Green関数(NEGF)法により計算した。得られた結果は,吸着された2つのHCNもしくはHNCガス分子はホスホレンの電子伝導率に及ぼす顕著な影響を有し,ホスホレンのジグザグ方向がアームチェア方向よりも気体分子に対してより敏感であることを明らかにした。元ホスホレン2つのHCNもしくはHNCガス分子への高感度,優れた選択性,および中程度の吸着エネルギーの組合せは吸着をホスホレンをHCNおよびHNCセンサのための優れた候補である。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  電流電圧特性 ,  *ガス検出器 ,  高感度 ,  *黒リン ,  単原子層 ,  シアン化水素 ,  有害ガス ,  ドーピング ,  硫黄 ,  ケイ素 ,  アルミニウム ,  化学センサ ,  吸着等温式 ,  計算機シミュレーション ,  第一原理 ,  吸着エネルギー ,  電荷移動 ,  選択性 ,  化学的性質 ,  Green関数 ,  近似法 ,  非平衡状態 ,  反応性 ,  触媒担体 ,  電気伝導率 ,  輸送現象
準シソーラス用語： 密度汎関数理論 ,  *フォスフォレン ,  有毒ガス ,  ドープ ,  化学選択性 ,  非平衡Green関数 ,  反応活性 ,  輸送特性 ,  電子伝導率

分類 (3件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  有機化合物の電気分析  (CC05034O) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホスホレン ,  高感度 ,  HCN ,  応答 ,  解析 ,  DFT