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J-GLOBAL ID：201702222570609483   整理番号：17A1382418

インジゴベース不揮発性追記型光ディスクメモリ装置の開発【Powered by NICT】

Development of indigo-based nonvolatile write-once-read-many-times memory device

著者 (4件)： Wang Zhengjun (Department of Physics & Astronomy, West Virginia University, Morgantown, WV 26506, USA) ,  Sierros Konstantinos (Department of Mechanical & Aerospace Engineering, West Virginia University, Morgantown, WV 26506, USA) ,  Seehra Mohindar S. (Department of Physics & Astronomy, West Virginia University, Morgantown, WV 26506, USA) ,  Korakakis Dimitris (Lane Department of Computer Science & Electrical Engineering, West Virginia University, Morgantown, WV 26506, USA)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 206  ページ： 128-131  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムすず酸化物陽極とAl陰極の間にサンドイッチされたインジゴの100nm層から成る不揮発性有機ライトワンスリードメニー(WORM)メモリーデバイスの開発について報告した。素子は,オン状態であることが判明し,オン/オフ電流比10~6までで正バイアスを印加することによりオフ状態に切り替えることができる。素子を封止しないで空気中で108時間以上の貯蔵安定性を示した。このデバイスはインジゴは安価で,生分解性,非毒性と低コスト生分解性データ貯蔵の可能性を提供する。デバイスの動作機構は,Alインジゴ界面位置に誘起された双極子の観点から考察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： インジウム ,  双極子 ,  貯蔵安定性 ,  データ蓄積 ,  酸化スズ ,  記憶装置 ,  *非揮発性 ,  バイアス ,  アルミニウム ,  微生物分解性 ,  界面 ,  毒性 ,  窒素複素環化合物 ,  エノン ,  芳香族縮合化合物 ,  ジケトン
準シソーラス用語： オン状態 ,  WORM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 有機メモリ素子 ,  インジゴ ,  有機/金属界面 ,  生分解性 ,  有機 ,  Semiconductors

分類 (1件)： 医用素材  (GA05040H)

物質索引 (1件)： インジゴ

タイトルに関連する用語 (5件)： インジゴ ,  不揮発性 ,  追記型 ,  光ディスクメモリ ,  開発