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J-GLOBAL ID：201702222580222121   整理番号：17A0954165

オプトエレクトロニクス材料としてのSn(II)含有リン酸塩

Sn(II)-Containing Phosphates as Optoelectronic Materials

著者 (7件)： XU Qiaoling (Jilin Univ., Jilin, CHN) ,  LI Yuwei (Univ. Missouri, Missouri, USA) ,  ZHANG Lijun (Jilin Univ., Jilin, CHN) ,  ZHENG Weitao (Jilin Univ., Jilin, CHN) ,  SINGH David J. (Univ. Missouri, Missouri, USA) ,  SINGH David J. (Jilin Univ., Jilin, CHN) ,  MA Yanming (Jilin Univ., Jilin, CHN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 6  ページ： 2459-2465  発行年： 2017年03月28日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オプトエレクトロニクス材料への応用をめざし,第一原理計算によりSn(II)含有リン酸塩(Sn_nP₂O_5+n)に対する電子構造の研究を行った。その結果,これらの材料はすべて3.2eV以上の大きなバンドギャップを示し可視光に対し透明であり,そのうちのいくつかの材料の正孔の有効質量は電子の質量と同程度の大きさであってドーピングによる双極性伝導性をもつことが計算から予測される。分散性の価電子バンド端は,Snの5s軌道とリン酸基の間の非結合性の混成に由来する。構造探索の際に見い出される準安定構造とその性質の相関の解析から,バンドギャップの大きさとキャリアの有効質量にはさまざまな組み合わせがあり,これらを化学的に調節できる余地がある。大きなバンドギャップ,小さなキャリア有効質量および高い化学的安定性を併せもつことから,Sn(II)含有リン酸塩はP型透明導電性をもつオプトエレクトロニクス材料としての応用が期待される。

シソーラス用語： *オプトエレクトロニクス ,  *スズ化合物 ,  *リン酸塩 ,  *透明導電膜 ,  *バンドギャップ ,  *正孔 ,  *有効質量 ,  分散【dispersion】 ,  状態密度 ,  生成熱 ,  結晶構造 ,  光学定数
準シソーラス用語： バンド分散 ,  第一原理計算 ,  生成エンタルピー ,  光学伝導度

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： オプトエレクトロニクス ,  Sn ,  リン酸塩