イオン置換法により作製したZnO/ZnSe/CdSe/Cu_2xSeコア-シェルナノワイヤアレイの増強された光電気化学特性【Powered by NICT】

Chen Yuanlu; Wang Lijuan; Wang Wenzhong; Cao Maosheng

文献

J-GLOBAL ID：201702222629358071 整理番号：17A0851313

イオン置換法により作製したZnO/ZnSe/CdSe/Cu_2xSeコア-シェルナノワイヤアレイの増強された光電気化学特性【Powered by NICT】

Enhanced photoelectrochemical properties of ZnO/ZnSe/CdSe/Cu_2-xSe core-shell nanowire arrays fabricated by ion-replacement method

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資料名：
巻： 209 ページ： 110-117 発行年： 2017年
JST資料番号： W0375A ISSN： 0926-3373 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

コア-シェル構造は,光電気化学(PEC)性能を改善するために,各材料の利点を取るように設計されている。ここでは,水熱条件下でフッ素ドープ酸化スズ(FTO)ガラス上に成長させたZnO/ZnSe/CdSe/Cu_2xSeコア-シェルナノワイヤアレイを作製するための容易なイオン交換戦略を報告した。AM1.5Gによる照明下で,設計されたZnO/ZnSe/CdSe/Cu_2xSeコア-シェルナノワイヤアレイは20.57mA~2の最高光電流密度は0V(対Ag/AgCl)でZnOナノワイヤアレイのそれよりも29.4倍高い優れたPEC性能を示し,バイアス電位を印加することなく410nmで87.6%の入射光子変換効率(IPCE)を達成した。ZnO/ZnSe/CdSe/Cu_2xSeコア-シェルナノワイヤアレイの優れたPEC性能は,各材料の相乗効果に起因する。垂直整列したZnO六方晶プリズムは軸方向に沿って大きな比表面積と電子アクセスを提供した。ZnSe層は,比表面積及び光吸収の範囲を拡張した。CdSe層は可視光吸収を増強した非常に,入射光を十分利用した。P型Cu_2xSe層はp-n接合,だけでなく再結合を妨げるが,同時に光生成電子-正孔対の分離と伝達を促進することを生成した。ZnO/ZnSe/CdSe/Cu_2xSeコア-シェルナノワイヤアレイ中の各成分の相乗作用は優れたPEC性能をもたらした。本研究で達成された合成戦略は水分解のために他の材料の高効率電極を設計するための有望な応用を持つことができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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光化学反応 , 光化学一般

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