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J-GLOBAL ID：201702222744352528   整理番号：17A1090404

EUVリソグラフィー用の単一露光パターン形成の開発

Single expose patterning development for EUV Lithography

著者 (17件)： DE SILVA Anuja (IBM Semiconductor Technol. Res., New York) ,  PETRILLO Karen (IBM Semiconductor Technol. Res., New York) ,  MELI Luciana (IBM Semiconductor Technol. Res., New York) ,  SHEARER Jeffrey C. (IBM Semiconductor Technol. Res., New York) ,  BEIQUE Genevieve (GLOBALFOUNDRIES, New York) ,  SUN Lei (GLOBALFOUNDRIES, New York) ,  SESHADRI Indira (IBM Semiconductor Technol. Res., New York) ,  OH Taehwan (SAMSUNG, New York) ,  HAN Seulgi (SAMSUNG, New York) ,  SAULNIER Nicole (IBM Semiconductor Technol. Res., New York) ,  LEE Joe (IBM Semiconductor Technol. Res., New York) ,  ARNOLD John C. (IBM Semiconductor Technol. Res., New York) ,  HAMIEH Bassem (IBM Semiconductor Technol. Res., New York) ,  FELIX Nelson M. (IBM Semiconductor Technol. Res., New York) ,  FURUKAWA Tsuyoshi (JSR Micro, CA) ,  SINGH Lovejeet (JSR Micro, CA) ,  AYOTHI Ramakrishnan (JSR Micro, CA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10143  ページ： 101431G.1-101431G.9  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVの全体的問題解決のためには,レジストの改善と共にパターン形成スタックを最適化する必要がある。100nmピッチ規模のパターン転写を可能にするために,多重スタックパターン形成の概念が導入された。サブ36nmピッチ規模では,良好なレジスト接着,EUV吸光度の改善,認容可能な双方向パターン形成,低い膜及びパターン転写欠陥は検討すべき重要な基準である。本論文では,新しい材料革新を通してこれらの課題を取扱うことにより,単一露光パターン形成手法を実証した。認容可能なプロセスウィンドウで28nmピッチの線/空間パターンを実証した。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  露光 ,  *回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  *フォトレジスト ,  許容範囲 ,  電子顕微鏡観察 ,  空間分解能 ,  光吸収
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  プロセスウィンドウ ,  露光量

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： EUVリソグラフィー ,  露光 ,  パターン形成 ,  開発