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J-GLOBAL ID:201702222756537100   整理番号:17A1391450

ナノスケール垂直MTJのスピン偏極非対称性を有するコンパクトモデル【Powered by NICT】

A Compact Model with Spin-Polarization Asymmetry for Nanoscaled Perpendicular MTJs
著者 (7件):
資料名:
巻: 64  号: 10  ページ: 4346-4353  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文の目的は,電気回路シミュレータを用いた容易な統合を保証するためにVerilog-Aで実行された垂直スピン移動トルク(STT)磁気トンネル接合(MTJ)のためのコンパクトなモデルを導入することである。電位依存垂直磁気異方性,温度依存性パラメータ,加熱/冷却,MTJプロセス変動,スイッチング過程におけるSlonczewskiスピン分極関数のスピントルク非対称性の効果を考慮に入れた。を採用して,三種類の技術ノードで実現した256×256STT磁気ランダムアクセスメモリアレイの電圧スケーリングの下で書き込み性能を調べることであることを包括的なモデルになる。得られた結果は,30~20nmノードからのスケーリングは約43%の書き込みエネルギー節約を可能にすることを示し,一方,最小エネルギー書込み動作を保証する供給電圧は増加した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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