文献

J-GLOBAL ID：201702222774313424   整理番号：17A0889978

300°Cまでのアナログおよびディジタル応用のための高温サブミクロンSOI CMOS技術の特性化【Powered by NICT】

High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C

著者 (7件)： Petrosyants Konstantin O. (National Research University “Higher School of Economics”, (Moscow Institute of Electronics and Mathematics), Russia) ,  Lebedev Sergey V. (National Research University MIET, Design Centre, Zelenograd, Moscow, Russia) ,  Sambursky Lev M. (National Research University “Higher School of Economics”, (Moscow Institute of Electronics and Mathematics), Russia) ,  Stakhin Veniamin G. (National Research University MIET, Design Centre, Zelenograd, Moscow, Russia) ,  Kharitonov Igor A. (National Research University “Higher School of Economics”, (Moscow Institute of Electronics and Mathematics), Russia) ,  Ismail-zade Mamed R. (National Research University “Higher School of Economics”, (Moscow Institute of Electronics and Mathematics), Russia) ,  Ignatov Pavel V. (National Research University MIET, Design Centre, Zelenograd, Moscow, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SEMI-THERM  ページ： 229-234  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SOI CMOS技術は,拡張された高温(HT)適用範囲(300°Cまで)のために開発した。MOSFETは二つのオプション:最小ゲート長をもつディジタル応用のための0.18μmと1.8V電源電圧と最小ゲート長さ0.5μmおよび5V電源でアナログ応用のためのものである。電気特性測定の結果を実証し,解析し,両方のオプションのSOI MOSFETと比較した。SPICEによるHT SOI CMOS回路シミュレーションの可能性を提供するために300°Cまでの広い温度範囲のために開発した改質されたSOI MOSFETコンパクトモデル。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 回路シミュレーション ,  *CMOS ,  *アナログ系 ,  *キャラクタリゼーション ,  *ディジタル方式 ,  電気特性 ,  *高温 ,  MOSFET
準シソーラス用語： コンパクトモデル ,  温度範囲 ,  電源電圧 ,  ゲート長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： アナログ ,  ディジタル ,  応用 ,  サブ ,  SOI ,  CMOS技術 ,  特性化