抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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本論文では,リング発振器(RO)ベースのサブ1V leaky integrate-and-fire(I&F)ニューロン回路を提案した,それはユーザプログラマブル不応期とスパイク頻度の順応を支援することができる。CMOS65nm SMCプロセスで設計し,ニューロンは0.9Vから動作でき,同じ回路は,生物学的時間スケールでまたは加速時間スケールで動作するプログラムできるというユニークな特徴を持っている。ナノメータCMOSにおけるリング発振器は,既存のI&Fシリコンニューロン(SiN)に用いられるコンデンサと比較して小さいので,多数ROベースニューロンのシングルチップニューロモルフィックSoCを実現する複雑なディジタル回路と共に集積できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】