生体材料の誘電特性化のための低電力小型Kバンドセンサ【Powered by NICT】

Jamal Farabi Ibne; Guha Subhajit; Eissa Mohamed Hussein; Borngraber Johanes; Meliani Chafik; Ng Herman Jalli; Kissinger Dietmar; Wessel Jan

文献

J-GLOBAL ID：201702222832369755 整理番号：17A0825179

生体材料の誘電特性化のための低電力小型Kバンドセンサ【Powered by NICT】

Low-Power Miniature $K$ -Band Sensors for Dielectric Characterization of Biomaterials

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資料名：
巻： 65 号： 3 ページ： 1012-1023 発行年： 2017年
JST資料番号： C0229A ISSN： 0018-9480 CODEN： IETMAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

開放スタブ,シャントスタブ,および両者の組合せを特徴とする標準的な0.25μm SiGe:C BiCMOS技術による三Kバンドセンシング振動子の設計と比較を提示した。異なるスタブタイプ特定振動子の容量および/または誘導要素と結合し,それぞれの装置の検出素子として役立つ。スタブの入力インピーダンスは媒質の誘電率に依存する。,振動周波数と出力パワーは試験(MUT)下の誘電体材料に対応している。異なる誘電特性へのセンサ応答は,異なる組成のメタノール-エタノール溶液を用いて研究した。行った実験では,提案したアーキテクチャはMUTの2.4(4.1-6.5)の誘電率の変化の5%(27.8-26.4 GHz)の最大周波数シフトを示した。三センサの各々は0.6mm~2のチップ面積を持ち,12mW電力以下を消費する。提案したセンサは,生体材料の最小侵襲性研究を実行するために将来の低電力フロントエンドのための潜在的成分である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器

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